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EEPROM、FLASH和其它存储器有何不同?
tvb2058 | 2007-12-10 11:54:10    阅读:3490   发布文章

 最初的存储器有随机存取的(RAM)和只读的(ROM),现每一种都有亚型,甚至有混合型的第三类存储器。RAM系列中有静态的(SRAM)和动态的(DRAM)。ROM从掩膜ROM演化到PROM(可编程的ROM)和EPROM(可擦写可编程ROM)。混合型的存储器有EEPROM、FLASH和NVRAM。EEPROM和FLASH存储器是ROM的子代,而NVRAM是SRAM的改版。 EEPROM是电可擦除的、可编程的ROM。FLASH存储器是存储器技术最新的发展。FLASH和EEPROM技术十分类似,是EEPROM的变种。它们主要的差别是:FLASH一次只能擦除一个块,而不是一字节一字节地擦除。典型的块大小在256B~16KB范围。FLASH容量可以做得很大,且价格适中。FLASH比EEPROM要流行得多,并且还迅速地取代了很多ROM、PROM和EPROM。 NVRAM通常只是一个带有后备电池的SRAM,价格昂贵。它的使用次数没有限制,而EPROM、EEPROM和FLASH都有擦写次数的限制。 

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